Более подробный взгляд на переключатели на основе GaN: преимущества, ограничения и проблемы управления воротами

Переключатели на основе широкополосных полупроводников SiC (карбид кремния) и GaN (нитрид галлия) в последнее десятилетие или около того набирают долю рынка на фоне своих традиционных кремниевых аналогов, поскольку они обеспечивают меньшие потери при более высоких частотах переключения и уровнях мощности, все это при все более конкурентной цене.

Однако GaN имеет свои преимущества, и в некоторых приложениях это действительно революционное решение.

В этой статье мы рассмотрим преимущества и ограничения переключателей на основе GaN, а также проблемы управления воротами.