🔔 Читайте нас у Telegram — не пропустіть цікаві автомобільні новини → t.me/motorhub_ua
Напівпровідникові прилади на основі нітриду галію (GaN) активно витісняють кремнієві завдяки меншим втратам на високих частотах і потужностях.
На відміну від SiC MOSFET, які поводяться подібно до звичайних кремнієвих аналогів, GaN пропонує надзвичайно швидке перемикання та менші паразитні ємності. Вони витримують значні перенапруги, але мають слабкі показники імпульсного струму.
Різні підходи до створення таких транзисторів ускладнюють вимоги до схем керування затвором, а для реалізації їхнього потенціалу критично важливо мінімізувати індуктивність контурів.
Технологія ідеально підходить для бортових зарядних пристроїв та DC/DC-перетворювачів, де важливе зменшення ваги й габаритів, проте через обмежений імпульсний струм вона є невдалим вибором для тягових інверторів.
Крім того, залишається відкритим питання стабільності постачання компонентів у довгостроковій перспективі.
📱 Підписуйтесь на наш Telegram-канал
Джерело: Charged EVs